1輸出功率
大家常說，選用255Wp太陽能組件。下列的“p”為peak的簡稱，意味著其最高值輸出功率為255W。全部的技術(shù)規(guī)格書上都會標明“規(guī)范檢測標準”的。
僅有在規(guī)范檢測標準（STC標準，輻照度為1000W/m2，電池溫度25℃，AM=1.5）時，太陽能組件的功率才算是“允差輸出功率”（250W）。當輻照度和溫度轉(zhuǎn)變時，輸出功率毫無疑問會轉(zhuǎn)變。此外，輸出功率偏差為正負極3%，表明部件的實際功率是242.5~257.5W全是提高的。但是，這一部件的輸出功率誤差為正誤差3%。
在非標標準下，太陽能組件的功率一般并不是允差輸出功率，下面的圖為NOCT標準下允差輸出功率為250W、255W的主要參數(shù)。
2光學(xué)轉(zhuǎn)換高效率
1）高效率的計算方式
理論上，規(guī)格、允差輸出功率同樣的部件，高效率肯定是同樣的。太陽能組件是由電池片構(gòu)成，一塊太陽能組件一般 由60片（6&TImes;10）或72片（6&TImes;10）電池片構(gòu)成，總面積各自為1.638m2（0.991m&TImes;1.651m）和3.895m2（0.991m&TImes;1.956m）。
輻照度為1000W/m2時，1.638m2部件上接受的輸出功率為1638W，當輸出為250W時，高效率為15.3%，255W時為15.6%。
3工作電壓與溫度系數(shù)
工作電壓分開路電壓和MPPT工作電壓，溫度系數(shù)分工作電壓溫度系數(shù)和輸出功率溫度系數(shù)。在開展串聯(lián)和并聯(lián)設(shè)計方案時，要用開路電壓、工作標準電壓、溫度系數(shù)、本地極端化溫度（最好日間）開展較大開路電壓和MPPT工作電壓范疇的測算，與逆變電源開展配對。
危害光伏太陽能組件負荷率的好多個要素
1熱斑效應(yīng)
一串連環(huán)路中被遮掩的太陽能電池部件，將被作為負荷耗費別的有陽光照射的太陽能電池部件所造成的動能，被遮掩的太陽能電池部件這時會發(fā)燙，這就是熱斑效應(yīng)。
這類效用能比較嚴重的毀壞太陽能電池。有陽光照射的太陽能電池所造成的一部分動能，都很有可能被遮掩的充電電池所耗費。而導(dǎo)致熱斑效應(yīng)的，很有可能只是是一塊樹膠。
以便避免 太陽能電池因為熱斑效應(yīng)而遭到毀壞，最好是在太陽能電池部件的正負間串聯(lián)一個旁通二極管，以防止陽光照射部件所造成的動能被受遮掩的部件所耗費。當熱斑效應(yīng)比較嚴重時，旁通二極管很有可能會被穿透，令部件損壞.
2PID效用
電位差引起衰減系數(shù)效用是鋰電池組件長期性在高電壓功效下，使夾層玻璃、封裝原材料中間存有泄露電流，很多正電荷阻擊在電池片表層，促使充電電池表層的鈍化處理實際效果惡變，造成 部件特性小于設(shè)計規(guī)范。PID狀況比較嚴重時，會造成一塊部件輸出功率衰減系數(shù)50%之上，進而危害全部組串的輸出功率輸出。高溫、高低溫、高鹽土的沿海城市容易產(chǎn)生PID狀況。
導(dǎo)致部件PID狀況的緣故關(guān)鍵有下列三個層面：
1）控制系統(tǒng)設(shè)計緣故：太陽能發(fā)電站的防雷接地線是根據(jù)將矩陣邊沿的部件外框接地裝置完成的，這就導(dǎo)致在單獨部件和外框中間產(chǎn)生偏壓，部件所處偏壓越高而產(chǎn)生PID狀況越比較嚴重。針對P型晶硅部件，根據(jù)有變電器的逆變電源負級接地裝置，清除部件外框相對性于電池片的順向偏壓會合理的防止PID狀況的產(chǎn)生，但逆變電源負級接地裝置會提升相對的系統(tǒng)軟件基本建設(shè)成本費；
2）太陽能組件緣故：高溫、高低溫的外部自然環(huán)境促使電池片和接地裝置外框中間產(chǎn)生泄露電流，封裝原材料、側(cè)板、夾層玻璃和外框中間產(chǎn)生了泄露電流安全通道。根據(jù)應(yīng)用更改絕緣層膠紙丁二烯醋酸乙烯酯（EVA）是完成部件抗PID的方法之一，在應(yīng)用不一樣EVA封裝膠紙標準下，部件的抗PID特性會存有差別。此外，太陽能組件中的夾層玻璃關(guān)鍵為鈣鈉玻璃，夾層玻璃對太陽能組件的PID狀況的危害迄今尚不確立；
3）電池片緣故：電池片方塊電阻的勻稱性、減反射層的薄厚和折光率等對PID特性都擁有 不一樣的危害。
隱裂是電池片的缺點。因為分子結(jié)構(gòu)的本身特點，晶硅電池片十分非常容易產(chǎn)生裂開。晶體硅部件生產(chǎn)制造的生產(chǎn)流程長，很多階段都很有可能導(dǎo)致電池片隱裂（據(jù)西安交通大學(xué)楊宏教師的材料，僅充電電池生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)就大約200種緣故）。隱裂造成的實質(zhì)緣故，可梳理為在硅單晶上造成了機械設(shè)備地應(yīng)力或焊接應(yīng)力。
近些年，晶硅部件生產(chǎn)廠家以便控制成本，晶硅電池片一直向愈來愈薄的方位發(fā)展趨勢，進而減少了電池片避免 機械設(shè)備毀壞的工作能力。
二零一一年，法國ISFH發(fā)布了她們的科學(xué)研究結(jié)果：依據(jù)電池片隱裂的樣子，可分成5類：樹形結(jié)構(gòu)裂痕、綜合性裂痕、斜裂痕、平行面于主柵線、垂直平分柵線和圍繞全部電池片的裂痕。
不一樣的隱裂，對電池片作用導(dǎo)致的危害是不一樣的。對電池片作用危害較大的，是平行面于主柵線的隱裂（第四類）。依據(jù)科學(xué)研究結(jié)果，50%的無效片來自于平行面于主柵線的隱裂。45°歪斜裂痕（第三類）的高效率損害是平行面于主柵線損害的1/4。垂直平分主柵線的裂痕（第5類）幾乎不危害細柵線，因而導(dǎo)致電池片無效的總面積基本上為零。
